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磁控溅射电致变色非晶态氧化钨薄膜
利用平面磁控反应溅射在具有透明导电膜的玻璃基片上沉积氧化钨膜层。X射线衍射分析结果表明,基片在室温状态下得到的膜呈非晶态。以0.2N浓度的HCl为电解液,用电化学方法研究了H+注入及抽出后氧化钨膜光学性能的变化及这种变化与膜的制备参数之间的关系。获得了沉积氧化钨膜近于最佳的工艺条件。在纯氧气氛下,溅射功率密度1.2W/cm2,溅射气体压强1.3Pa时,制备的非晶态氧化钨膜,在50次电化学循环后,漂白态与着色态的可见光透射率之差约为0.57,其电化学循环的变色寿命也长。光电子能谱(XPS)分析表明,H+注入后着色态膜内出现了W5+、W4+。对电致变色机理也作了讨论。

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